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国产炉拉制Φ78～85mm无位错区熔硅单晶中“毛剌”产生的机理及消除方法
【摘要】 本文介绍了在国产设备上试制生产Φ>76.2mm无位错区熔硅单晶过程中多次遇到而又必须解决的常见问题之一——“毛刺”问题.着重讨论了“毛刺”产生的宏观机理,并介绍了为有效地防止“毛刺”产生所采取的各种措施.
- 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1993年04期
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【摘要】 本文介绍了在国产设备上试制生产Φ>76.2mm无位错区熔硅单晶过程中多次遇到而又必须解决的常见问题之一——“毛刺”问题.着重讨论了“毛刺”产生的宏观机理,并介绍了为有效地防止“毛刺”产生所采取的各种措施.