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MOCVD法生长Gal-XInxAsl-ySby的物化研究

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【作者】 韦光宇； 彭瑞伍； 任尧成； 丁永庆；

【机构】 中国科学院上海冶金研究所； 中国科学院上海冶金研究所；

【摘要】 为更好地控制MOCVD Ⅲ-Ⅴ族锑化物的生长,改进外延层性质,本文用物理化学方法研究了Ga1-xInxAs1-ySby合金的生长过程。用热力学的“平衡模型”计算了铟和锑的分配系数及外延层固相组成与生长条件的关系,用化学动力学方法推导了当外延过程为物质扩散控制、化学反应控制及混合控制时的外延层生长速率公式,结果均符合实验规律。

【关键词】 MOCVD； Ga； l-X)In_xAs； l-y)Sb_y； 外延层； 实验规律； 锑化物； 物理化学方法； 物质扩散； 混合控制；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,1992年06期
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