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p型GaSb单晶研制

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【摘要】 <正> GaSb单晶是制备光电器件的重要衬底材料。GaSb价带自旋轨道的分裂可以得到使空穴离化系数增大的能级,明显改善了波长大于1.3μm的APD的信噪比。其它如AlGaSb APD、GaAlAsSb LED与LD、AlSb/GaSb超晶格、高度电子器件InAs/GaSb超晶格、低阈值HET、FET、HBT等器件也采用GaSb为衬底。此外,GaSb单

  • 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,1992年03期
  • 【被引频次】3
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