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热壁外延法生长Zn1-xMnxSe半磁半导体薄膜
GROWTH OF Zn1-xMnxSe FILMS BY HOT WALL EPITAXY ON GaAs SUBSTRATE
【摘要】 作者用热壁外延方法在（100）GaAs衬底上生长Zn1-xMnxSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射（XRD）、喇曼散射、俄歇电子能谱（AES）等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出（100）Zn1-xMnxSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17.
【Abstract】 Zn1-xMNxSe films are grown on the (100) GaAs substrate by hot wall epitaxy. The films are studied by X-ray diffraction, Raman and AES. The results show thai Single crystal (100)Zn1-xMnxSe films have been gotten and that x can be up to 0.17.
【关键词】 热壁外延；
半磁半导体；
硒锰锌薄膜；
【Key words】 hot wall epitaxy； Zni1-xMnxSe films； diluted magnetic semiconductors.；
【Key words】 hot wall epitaxy； Zni1-xMnxSe films； diluted magnetic semiconductors.；
- 【文献出处】 应用科学学报 ,Journal of Applied Sciences , 编辑部邮箱 ,1992年02期
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