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采用SOI衬底的pH传感器

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【作者】 陈德英； 唐国洪； 花秀銮；

【机构】 东南大学； 东南大学；

【摘要】 采用SDB/SOI材料制备ISFET型pH传感器,减少了衬底漏电,从而改善了pH传感器的温漂、时漂等特性。这种结构对pH传感器是有实用意义的。

【关键词】 温漂特性； 场效应管； pH传感器；
  • 【文献出处】 仪表技术与传感器 ,Instrument Technique and Sensor , 编辑部邮箱 ,1992年03期
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