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硅化物薄膜的质子弹性散射分析

MeV PROTON ELASTIC BACKSCATTERING ANALYSIS OF SiN_x/Si AND SiO_x/Si FILMS

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【作者】 朱沛然； 江伟林； 徐天冰； 殷士端；

【Author】 ZHU FEI-RAN JIANG WEI-LIN XU TIAN-BINGInstitute of Physics. Academia Sinica, Beijing 100080YIN SHI-DUANInstitute of Semiconductors, Academia Sinica, Beijing 100083

【机构】 中国科学院物理研究所； 中国科学院半导体研究所 北京 100080； 北京 100080； 北京 100083；

【摘要】 本文报道了一种分析硅衬底上SiN_x和SiO_x的N/Si和O/Si含量比的简便方法。用1.95MeV质子弹性散射测量薄膜(9000—15000)的组分比和厚度,实验值与2.1MeV He的背散射分析(RBS)结果符合得很好;对微米以上厚度样品,MeV H束分析更为有利,这是与He束背散射分析互补的一种方法。文中给出了实验结果,并进行了讨论。

【Abstract】 A simple method for the analysis of concentration ratios N/Si and O/Si in SiNx/Si and SiOx/Si is presented. 1.95 MeV H beam elastic backscattering was used to determine the composition and thickness. A comparison with 2.1 MeV He beam Rutherford backscsttering (RBS) is given. It provides a complementary analysis technique. A brief discussion on results is given.

【关键词】 背散射分析； 弹性散射； 质子束； 硅化物； 硅衬底； 卢瑟福背散射； 核散射； 库仑散射； 入射束； 散射截面；
  • 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,1992年12期
  • 【被引频次】3
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