节点文献

超化学剂量Sb2Se3的Sb对Sb-Se系统非晶半导体晶化行为的影响

Effects of Extra Sb in Sb2 Se3 Stoichiometry on the Crystallization Behavior of Amorphous Semiconductor of Sb-Se System

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 骆强闵嗣桂张干城陈菊芳

【Author】 Luo Qiang Min Sigui Zhang Gancheng Chen Jufang (Shanghai Institute of Ceramics,Academia Sinica)

【机构】 中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院上海硅酸盐研究所

【摘要】 本文采用 DSC、XRD、TEM 和瞬态反射率 R—温度 T,分析了 Sb2Se3,SbSe 和 Sb3Se2薄膜的非品析晶过程,研究了超化学计量 Sb2Se3的 Sb 对晶化行为的影响,发现晶体形貌和析品速率随着超量 Sb 的增加而变化。在薄膜中,Sb 起着晶核作用,加快析晶速率。

【Abstract】 In this paper,DSC.XRD.TEM.and Transient R-T were used to investigatethe amorphous crystalline transformation of Sb2Se3,SbSe and Sb3Se2 films,and tostudy the effects of extra quantity Sb of stoichiometry Sb2Se3 on their crystalliza-tion behavior.It was found that the morphology of crystallite and the rate of cry-stallization were changed with the increasing amount of the extra quantity of Sb.In films Sb could act as the nucleation center and speed up the rate of crystalliza-tion.

  • 【文献出处】 无机材料学报 ,Journal of Inorganic Materials , 编辑部邮箱 ,1992年02期
  • 【下载频次】35
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络