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GaAs表面经UV/O3处理后的XPS分析
The XPS Analysis of GaAs Surface Treated With UV/O3.
【摘要】 UV/O3是去除半导体表面碳氢化合物的有效方法之一。该文利用X光电子能谱仪讨论了GaAs经UV/O3处理的表面化学状态,得知表面氧化物为Ga2O3、As2O3及As2O5,且其氧化层厚度,当用UV/O3处理30 min后大约为9 nm。
【Abstract】 UV/O3 is one of the most efficient methods to remove carboncontamination on semiconductor surface. The chemical state of GaAs surfacetreated with UV/O3 has been discussed. Using X-ray photoelectron spec-troscopy, the oxides on the surface are Ga2O3, As2O3 and As2O5, with theirthickness about 9 nm when treated by UV/O3 for 30 min.
【关键词】 砷化镓；
界面；
表面化学；
分析方法；
UV/O3处理；
【Key words】 gallium arsenide； interface； surface chemistry； analytical method； UV/O3 treatment；
【Key words】 gallium arsenide； interface； surface chemistry； analytical method； UV/O3 treatment；
- 【文献出处】 南京理工大学学报(自然科学版) ,Journal of Nanjing University of Science and Technology , 编辑部邮箱 ,1992年03期
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