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硅中氧的FTIR研究

FTIR STUDY OF OXYGEN IN SILICON

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【作者】 马碧兰朱景兵邬建根张继昌周寿通屈逢源

【Author】 Ma Bilan, Zhu Jinbin, Wu Jiangen Zhang Jichang, Zhou Shoutong, Qu Fengyuan(Physics Department, Fudan University, Shanghai 200433, China;Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China;Physics Department,Tongji University, Shanghai 200092, China;Shanghai No. 17 Radio Factory, Shanghai 200010, China)

【机构】 复旦大学物理系中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室同济大学物理系上海无线电十七厂复旦大学物理系 上海200433上海200083200092200010200433

【摘要】 对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温(80~4.2K)下硅的红外吸收谱中1127cm-1处的吸收是硅中氧的吸收峰.

【Abstract】 Silicon crystals of different oxygen contents have been investigated by means ofinfrared absorption spectroscopy at 300K and 4.2K. It is seen from the experiments thatthe absorption band at 1127cm-1at low temperatures (804.2K) is due to oxygen absorp-tion.

【关键词】 红外吸收
【Key words】 siliconoxygeninfrared absorption.
【基金】 红外物理国家重点实验室部分资助课题
  • 【文献出处】 红外与毫米波学报 ,Journal Infrared Millimeter and Waves , 编辑部邮箱 ,1992年04期
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