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低噪声FET VCO的研究
【摘要】 <正> 近代雷达技术对微波本振源提出了更高的要求,既要求在较宽的频率范围内进行快速电调谐,又要求在频带内有较高的频率稳定度,而且对相位噪声要求更为苛刻。 GaAs FET器件优越的高频性能,使它在X波段以至更高频段内作为振荡器的有源元件具有非常强的竞争力;但由于它的相位噪声较高,限制了它在低噪声系统中的应用。国处报道的微带型GaAs FET振荡器的相位噪声,在偏离载频10kHz时,典型值为-65dBC/Hz。南京电子器件研究所利用本所研制的GaAs FET和变容二极管制作的微带型FET VCO,在线性电调范围
- 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,1992年01期
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