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5-硝基二氢苊在无显影气相光刻中的光致诱蚀作用的研究——5-硝基二氢苊的光氧化反应

STUDIES ON THE PHOTOINDUCED ETCHING EFFECT OF 5-NITROACENAPHTHENE IN THE DEVELOPMENT-FREE VAPOR PHOTOLITHOGRAPHY --THE PHOTOOX1DATION OF 5-NITROACENAPHTHEN

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【作者】 洪啸吟； 刘丹； 李钟哲； 刘密新；

【Author】 HONG XIAO-YIN LIU DAN LI ZHONG-ZHE LIU MI-XIN(Department of Chemistry, Qinghua University, Beijing 100084, P. R. China)

【机构】 清华大学化学系； 清华大学化学系 北京 100084； 北京 100084； 北京 100084；

【摘要】 5-硝基二氢苊的光氧化作用在无显影气相光刻中起着重要作用。我们通过红外,核磁共振、色质联用等手段对其光氧化产物进行了分析,并合成了有关化合物进行对照,确认5-硝基二氢苊的主要光氧化产物是5-硝基苊、5-硝基二氢苊酮、羟基-5-硝基二氢苊。

【Abstract】 The photooxidation of 5-nitroacenaphthene plays an important role in the development-free vapor photolithography. The major oxidation products have been analysed by means of FT-1R, H-NMR, HPLC-MS. The results were compared with that of anthenic samples synthesized in our laboratory. It was shown that the majorphotooxidation products of 5-nitroacenaphthene are 5-nitroaoenaphthenol, 5-nitroacenaphthenone and 5-nitroacenaphthylene.

【关键词】 无显影气相光刻、5-硝基二氢苊； 光氧化作用； 羟基-5-硝基二氢苊；
【Key words】 development-free photolithography； 5-nitroacenaphthene； photooxidation； 5-nitroacenaphthenol；
【基金】 国家自然科学基金;北京市重点自然科学基金资助项目
  • 【文献出处】 感光科学与光化学 ,Photographic Science and Photochemistry , 编辑部邮箱 ,1992年04期
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