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穿通型高增益AlGaAs/GaAs光电晶体管

Punchthrough AIGaAs/GaAs Heterojunction Phototransistors with High Current Gain

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【作者】 魏东平； 李国辉； 韩卫； 朱恩均； 周均铭；

【Author】 Wei Dongping;Li Guohui;Han Wei;Zhu Enjun;Zhou Junming;Institute of Low Energy Nuclear Physics,Beijing Normal University;Institute of Physics,Academia Sinica;

【机构】 北京师范大学低能核物理所； 中国科学院物理所；

【摘要】 报导了一种新型高灵敏度光电探测器——穿通型HPT(PTPT)的初步实验研究结果,用MBE材料制造了AlGaAs/GaAs PTPT,在较小电流下获得了200倍以上的直流增益。

【Abstract】 The prelimiary exprimental results of a novel high sensitivity photodector-punchthrough type HPT (PTPT) is reported. A1GaAs/GaAs PTPTs are fabricated with MBE material. The DC gain at low current is over 200.

【关键词】 光电晶体管； 穿通； 电流增益；
【Key words】 Phototransistor； Punchthrough； Current gain；
  • 【文献出处】 高技术通讯 ,High Technology Letters , 编辑部邮箱 ,1992年10期
  • 【分类号】TN32
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