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SIMOX技术及CMOS/SIMOX器件的研究与发展

Research and Development of SIMOX Technology and CMOS/SIMOX Devices

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【作者】 王阳元陈南翔王忠烈

【Author】 Wang Yangyuan, Chen Nanxiang, Wang Zhong-lie(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, 100871).

【机构】 北京大学徽电子学研究所北京大学徽电子学研究所 北京 100871北京 100871北京 100871

【摘要】 SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了SIMOX基片的形成、高质量SIMOX基片的制备方法。阐述了薄硅层OMOS/SIMOX器件的工艺特点以及器件的性能特点。本文也就SIMOX技术及GMOS/SIMOX器件的研究现状及发展趋势进行了讨论。

【Abstract】 SIMOX is one of the most promising SOI technologies. SIMOX technology occupies a very important position in the development of thin film Si layer and deep submicrometer CMOS/SOI IC. This paper rewiews the formation of SIMOX wafers and the methods of producing high quality SIMOX wafers, and presents the characteristic processing and performance of thin film CMOS/SIMOX devices.The status and trends of SIMOX technology and CMOS/SIMOX devices are also discussed.

  • 【文献出处】 电子学报 ,Acta Electronica Sinica , 编辑部邮箱 ,1992年05期
  • 【被引频次】2
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