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采用Ti/TiW/Au栅制作Si衬底上CaAs MESFET与集成电路
Fabrication of GaAs MESFET and Circuit on Si Substrate Utilizing Ti/TiW/Au as Gate Metallization
【摘要】 本文从制备硅集成电路(SiIc)与砷化镓集成电路(GaAs IC)单片兼容电路的要求出发,提出了Ti/TiW/Au肖特基金属化结构,制备出了性能良好的Ti/TiW/Au栅Si衬底上分子束外延(MBE)的GaAsMESFET与GaAs IC。
【Abstract】 We have developed a Ti/TiW/Au gate metallization technique, which can be used for the compatible co-integration of GaAs IC and Si IC. By utilizing Ti/TiW/Au gate metallization, we have obtained good MESFET’s and IC’s performances of GaAs grown on-Si substrate by molecular beam epitaxy.
【关键词】 GaAs/Si兼容；
Ti/TiW/Au接触与互连；
MBE异质外延；
【Key words】 GaAs/Si compatibility； Ti/TiW/Au contact and interconnect； MBE hetero epitaxy；
【Key words】 GaAs/Si compatibility； Ti/TiW/Au contact and interconnect； MBE hetero epitaxy；
【基金】 国家自然科学基金
- 【文献出处】 电子学报 ,Acta Electronica Sinica , 编辑部邮箱 ,1992年02期
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