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表面层半导体陶瓷电容器材料的研制

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【摘要】在(Ba_1-xNd_2x/3□_x/3)TiO₃系固溶体中（其中Nd也可以是Pr、Dy、Sm、Gd中的一种）添加Mn的氧化物,可制得表面层半导体陶瓷。该陶瓷经适当选择组成,并在合理的条件下加以处理,可制得单位面积容量为0.1～0.27μF/cm²,击穿电压达500V左右的半导体陶瓷电容器。更多还原

【关键词】表面层；晶界层；氧离子空位型半导体；钙钛矿型固溶体；电中性缺位；

【文献出处】电子元件与材料 ,Electronic Components $ Materials , 编辑部邮箱 ,1992年04期

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