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CZNTD Si中氧碳对缺陷-杂质复合体行为的影响

Influence of Oxygen and Carbon in CZNTD Silicon on Behavior of Defect-Impurity Complex

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【作者】 张一心； 李朝勇； 李光平； 何秀坤； 卢存刚； 李祖华；

【Author】 Zhang Yixin/Institute of semiconductors chinese Academy of SciencesLi Chaoyong/Institute of semiconductors chinese Academy of SciencesLi Guangping/The 46th institute of Mechnics and electronic industry departme(?)stHe Xiukun/The 46th institute of Mechnics and electronic industry departme(?)stLu Cungang/Atomic Academy of SciencesLi Zuhua/The 605th factory Beijing

【机构】 中国科学院半导体研究所； 机电部46所； 中国原子能科学研究院； 北京605厂 北京100083； 北京100083； 天津300192； 北京102413； 北京100022；

【摘要】 本文研究了CZNTD Si中氧碳和缺陷-杂质复合体的热处理行为.分析了辐照和退火中的氧碳沉淀、缺陷-杂质复合体的形成、演变与施主的关系.确定了辐照施主是很少的,而主要是退火中形成的新施主,并且碳对这种施主起着强烈的促进作用.

【Abstract】 The annealing behavior of oxygen carbon and defect-impurity complex in CZNTD silicon is studied. The relationships between donors and the formation as well as developmentof defect-impurlty complex in irradiation and anealing are investigated. The results showthat the irradiation donor density is very low, the new donors are formed during annealing, andcarbon enhances the formation of the new donors significantly.

【关键词】 复合体； CZNTD Si； 辐照样品； 吸收带； 等时退火； 退火过程； 辐照损伤； 高温退火； 高碳； 高氧；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1992年07期
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