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ELO/SOI膜上短沟道MOSFET的研究

Short-Channel MOSFETs on ELO/SOI

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【Author】 Chen Nanxiang/Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,100871Zhang Xuguang/Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,100871Zhang Meiyun/Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,100871Li Yingxue/Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,100871Wang Yangyuan/Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,100871

【机构】北京大学微电子学研究所；北京大学微电子学研究所北京100871；北京100871；北京100871；

【摘要】在 ELO/SOI膜上制备出了短沟道 MOSFET.电子及空穴场效应迁移率分别为 360 cm²/V.s及 200 cm²/V.S.PMOS及 NMOS晶体管的亚阈值斜率分别为 190mV/dec和 220mV/dec,漏泄电流为10^-10A/μm数量级.本文讨论了 SOI-MOSFET的器件特性.更多还原

【Abstract】 Short-channel MOSFETs have been fabricated on ELO/SOI structure. Electron and holefleld-effect mobilities of the MOSFETs are 360cm²/V.s and 200cm²/V.s, respectively. TheSub-threshod slopes are 190mV/dec （P-channel MOS） and 220mV/dec （N-channel MOS）,re-spectively. The leakage current is less than 10^-10A/μm. The characteristics of MOSFET/SOIhave been discussed.更多还原

【关键词】 ELO/SOI；场效应；器件特性； NMOS； PMOS；漏泄电流；亚阈值； Insulator；迁移率；击穿电压；

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1992年05期

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