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热壁外延ZnSe/GaAs薄膜生长机理的研究
Growth Mechanism Study of Hot Wall Epitaxy ZnSe/GaAs Films
【摘要】 本文用四极质谱(QMS)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等手段,对单一源热壁外延(HWB)ZnSe/GaAs 薄膜的生长机理作了一些研究.这些研究主要包括 ZnSe源的蒸发情况以及在不同衬底温度条件下,外延薄膜的化学配比状态.
【Abstract】 The ZnSe/GaAs films were grown by hot wall epitaxy.The mechanism of growth is stu-died by QMS,AES and XPS.It is found that the source of ZnSe crack into Zn and Se atomsat high temperature, but Znse/GaAs films are still stoichiometric.
【基金】 国家自然科学基金
- 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1992年02期
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