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热壁外延ZnSe/GaAs薄膜生长机理的研究

Growth Mechanism Study of Hot Wall Epitaxy ZnSe/GaAs Films

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【作者】 王杰李喆深蔡群陆春明沈军王迅

【Author】 Wang Jie/Surface Physics Laboratory,Fudan University,Shanghai 200433,ChinaLi Zheshen/Surface Physics Laboratory,Fudan University,Shanghai 200433,ChinaCai Qun/Surface Physics Laboratory,Fudan University,Shanghai 200433,ChinaLu Chunming/Surface Physics Laboratory,Fudan University,Shanghai 200433,ChinaShen Jun/Surface Physics Laboratory,Fudan University,Shanghai 200433,ChinaWang Xun/Surface Physics Laboratory,Fudan University,Shanghai 200433,China

【机构】 复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433上海200433上海200433

【摘要】 本文用四极质谱(QMS)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等手段,对单一源热壁外延(HWB)ZnSe/GaAs 薄膜的生长机理作了一些研究.这些研究主要包括 ZnSe源的蒸发情况以及在不同衬底温度条件下,外延薄膜的化学配比状态.

【Abstract】 The ZnSe/GaAs films were grown by hot wall epitaxy.The mechanism of growth is stu-died by QMS,AES and XPS.It is found that the source of ZnSe crack into Zn and Se atomsat high temperature, but Znse/GaAs films are still stoichiometric.

【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1992年02期
  • 【被引频次】1
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