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工艺参数对ITO膜电阻率和透射率的影响

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【作者】 张怀武； 许武毅；

【机构】 电子科技大学； 电子科技大学 成都 610054； 成都 610054；

【摘要】 本文就基体偏压、氧分压强和淀积后真空退火对ITO膜电阻率和透射率的影响作了理论和实验研究,通过比较理论和实验结果,弄清了宏观参数影响ITO膜电阻率的机理,并在实验基础上确定出最佳制膜参数。

【关键词】 电阻率； 偏压；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1992年05期
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