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选择性外延隔离P~+多晶硅栅PMOSFET

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【机构】清华大学微电子研究所；清华大学微电子研究所北京 100084；北京 100084；

【摘要】在离子注入埋层的硅片上,以SiO₂层为掩膜和隔离,生长了选择性外延（SEG）单晶硅层,并在此外延层上制作了P⁺掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P⁺多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退火完成杂质的再分布推进。测试结果表明PMOSFET的短沟道效应明显减小。更多还原

【关键词】硅栅； PMOSFET；外延层；沟道效应；埋层；阈值电压；快速热退火；低温退火；栅长；杂质分布；

【文献出处】半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1992年02期

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