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多层W-Si薄膜及其与GaAs衬底间的界面特性

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【作者】 邵丙铣； 郑庆平； 戎瑞芬； 陈祥君； 钱向阳；

【机构】 复旦大学材料所； 复旦大学材料所 上海 200433； 上海 200433； 上海 200433；

【摘要】 本文详细叙述了多层W-Si薄膜的制备技术、生长速率、热退火对薄膜性能的影响,薄膜与GaAs衬底间的界面行为等。

【关键词】 GaAs衬底； 薄膜结构； W-Si薄膜； 界面特性； 薄膜性能； 原子比； 薄膜样品； 溅射系统； 肖特基二极管； 多层薄膜；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1992年01期
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