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化学沉积法制备Pt/n-GaAs肖特基结

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【作者】 张遴绍； 夏永姚；

【机构】 吉林大学化学系； 吉林大学化学系 长春 130023； 长春 130023；

【摘要】 本文报导了一种化学镀铂液在n型(ND=1016)单晶GaAs上沉积金属铂制备Pt/n-GaAs肖特基结的方法,由I-V曲线和热电子发射方程,测得其势垒高度和理想因子分别为0.82eV和1.53,文中还讨论了化学沉积机理。

【关键词】 肖特基结； Pt/n-GaAs； 化学沉积法； 热电子发射； 沉积机理； 化学镀液； 金属铂； 数字电压表； 欧姆接触； 超声浴；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1992年01期
  • 【被引频次】2
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