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硅中载流子浓度的红外自由载流子吸收测定法

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【作者】 马碧兰； 邬建根； 屈逢源； 朱景兵； 张继昌；

【机构】 复旦大学； 中国科学院上海技术物理研究所； 同济大学；

【摘要】 <正> 硅材料和硅器件的许多性质和性能都与载流子浓度有直接依赖关系。测定硅中载流子浓度已发展有许多方法,如四探针法、霍耳系数法,C-V法、光致荧光法、杂质吸收法等等。1958年吴仲墀等人利用室温下10.6μm处自由载流子的吸收系数α测定硅中载流子浓度,作者则采用在500～3500cm-1红外波段内测量的吸收系数α,得到了载流子浓度N。

【关键词】 自由载流子； 载流子浓度； 四探针法； 内测量； 系数法； 硅器件； 吸收系数； 荧光法； 直线关系； 电阻率测量；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,1991年06期
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