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高纯真空区熔硅单晶在快速热退火下的红外吸收

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【作者】 张继昌； 邬建根； 马碧兰； 屈逢源； 朱景兵；

【机构】 同济大学； 复旦大学； 中国科学院红外物理国家实验室；

【摘要】 高纯真空区熔硅单晶经离子注入和氮气氛中的快速热退火后,在4.2K的红外吸收谱中观察到1136cm-1的氧特征峰;而类似的样品未经快速热退火,则无此吸收峰。利用硅表面的SiO2层中氧的恒定表面浓度扩散近似,得到样品中氧的计算值和实验值大致相符。

【关键词】 快速热退火； 硅单晶； 区熔； 红外吸收； 表面浓度； 高纯硅； 氮气氛； 硅表面； 离子注入； 吸收峰；
  • 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,1991年03期
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