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GexSi1-x/Si（100）应变超晶格高分辨电镜研究
【摘要】 本文用高分辨电镜（HREM）技术研究了在较高温度下生长的Ge0.2Si0.8/Si（100）和Ge0.4Si0.6/Si（100）应变超晶格中截面高分辨象。结果表明,晶格失配造成超晶格中较薄的子层,即合金层中弹性应变,在Ge0.2Si0.8/Si（100）应变超晶格中,合金层弹性应变与四方畸变结果相近,在Ge0.4Si0.6/Si（100）应变超晶格中,合金层弹性应变不均匀,使{111}晶面取向局部偏离无法观察到完整清晰的晶格象.Ge0.2Si0.8/Si（100）应变超晶格计算模拟与观察结果比较发现,超晶格界面附近存在互扩散.
【关键词】 GerSi1-x/Si应变超晶格；
高分辨电子显微镜；
弹性应变；
【基金】 南京大学固体微结构物理实验室开放课题;博士后基金
- 【文献出处】 自然科学进展 , 编辑部邮箱 ,1991年06期
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