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InxGa1-xAs/GaAs超晶格的X射线衍射研究

X-RAY DIFFRACTOMETRY OF THE STRUCTURE OF InxGa1-xAs/GaAs SUPERLATTICE

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【作者】 钟福民陈京一

【Author】 CHONG FUMIN CHEN JINGYI(Shanghai Institite of Metallurgy, Academia Sinica)

【机构】 中国科学院上海冶金研究所中国科学院上海冶金研究所

【摘要】 <正>一、引言 超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料。自从1970年美国首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构后,又研制出GaAs和各种Ⅲ-Ⅴ族化合物超晶格材料,而后Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族,以及非晶态半导体超晶格等也相继出现,有一些已经获得实用,制成了重要的微电子和光电子器件。 一般分析一维超晶格的结构或外延薄膜的常用方法是双晶衍射方法以及X射线低角度衍射法。在此我们用常规的X射线衍射仪法,对InxGa1-xAs/GaAs超晶格进行实验分析,得到了存在超晶格结构信息的衍射谱线,并用运动学衍射理论进行了超晶格结构分析,获得了较满意的结果,与双晶衍射方法的结果基本符合。最后讨论了X射线衍射仪法的特点与不足,以供参考。

【Abstract】 A conventional X-ray diffraotometer is used to analyse the structure of. InxGa1-x As/GaAs superlattice. Kinematioal approximation is employed in the analysis. The results are similar to those got by double-crystal diffractometry The differences between the two methods are also discussed.

【关键词】 X射线衍射超晶格结构参数
【Key words】 X-ray diffractionsuperlatticestructure parameters.
  • 【文献出处】 应用科学学报 ,Journal of Applied Sciences , 编辑部邮箱 ,1991年02期
  • 【被引频次】2
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