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常压CVD淀积非晶硅薄膜的研究

The Studies on the Amorphous Silicon Thin Films Deposited by CVD at Atmosphere Pressure

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【作者】 王永兴； 崔万秋； 何笑明； 王敬义；

【Author】 Wang Yongxing;Cui Wangqiu;He Xiaomin;Wang Jinyi

【机构】 武汉工业大学材料科学系； 武汉工业大学材料科学系； 华中理工大学；

【摘要】 本文应用常压CVD法制备出了α-Si薄膜,它是非晶硅太阳能电池的良好材料。采用X射线衍射、扫描电镜、红外透射谱和X射线光电子能谱对α-Si薄膜的结构和性能进行了研究,并给出了α-Si薄膜的淀积理论模型。

【Abstract】 The a-si thin film deposited by CVD at atmosphere pressure is reported. It is the good material which a-si solar cell is made from. The Structure and properties of a-si thin film are analysed by XRD,SEM,IR spectrum and XPS spectrum. The theoretical model on a- si thin film deposition is shown.

【关键词】 常压CVD； 非晶硅薄膜； 淀积理论模型；
【Key words】 APCVD； A-st thin film； The theoretical model on deposition；
【基金】 国家自然科学基金
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