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高掺镁铌酸锂晶体的缺陷
Study on Defect Structures of MgO:LiNbO3 Crystals
【摘要】 <正> 在铌酸锂中掺入氧化镁后,对其物理性质影响较大,当掺入量>5mol%MgO后,由于光电导增大,使其抗光析变性能大大提高,这一现象扩大了它的应用前景。晶体掺杂势必引起缺陷的增多,缺陷与生长条件、退火、极化等后处理工作有关,并对
- 【文献出处】 人工晶体学报 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1991年Z1期
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