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直流电弧等离子体射流法沉积金刚石薄膜

Deposition of Diamond Thin Films by DC Arc Plasma Jet Method

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【Author】 Bai Yizhen Lu Xianyi Jin Zengsun Zou Guangtian(Institute of Atomic and molecular Physics, Jilin University,Changchun, 130023)

【机构】吉林大学原子与分子物理研究所；吉林大学原子与分子物理研究所长春； 130023；长春； 130023；

【摘要】 <正> 采用直流电弧等离子体射流法,在硬质合金、单晶硅等衬底上,制备出了多晶金刚石薄膜,沉积速率约为20μm/h,是一般低压沉积法的几十倍,成膜范围φ10mm。自行设计的沉积装置有三支气路,对各气路进不同气体的几种情况进行了实验研究,结果表明,各种气体不同的进气途径对于成膜质量、沉积速率及工作的稳定性影响很大。在诸多沉积条件中,基板更多还原

【关键词】金刚石薄膜；直流电弧；等离子体射流；沉积法；沉积速率；气路；沉积条件；基板；进气；电弧电流；

【文献出处】人工晶体学报 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1991年Z1期

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