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MOCVD法生长MgO外延薄膜

Epitaxial Growth of MgO Thin Film by MOCVD Technique

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【Author】 Yu Shuqin Lu Zhikuan Jiang minhua Wang Hong Wang Xiaolin Huang Bobiao Yang Zhaohe Dong Shengming Shang Shuxia(Institute of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100)

【机构】山东大学晶体材料研究所；山东大学晶体材料研究所济南； 250100；济南； 250100；

【摘要】 <正> 本文首次报道了用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)技术在Si(111)衬底上生长MgO外延薄膜,采用不同工艺,制成[111]和[100]两种取向的外延薄膜。这些薄膜期望用于高温超导薄膜的衬底和一些光电子器件的掩盖层,将半导体和高温超导体结合起来。合成并提纯了两种有机源:2,2-二甲基-丙酸镁和二乙酰丙酮镁,应用这两种源,均得到了满更多还原

【关键词】 MOCVD；薄膜结构； MgO；高温超导薄膜；光电子器件；金属有机化合物；高温超导体；乙酰丙酮；偏光仪；反应气体；

【文献出处】人工晶体学报 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1991年Z1期

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