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碲镉汞外延层的汽相生长

Vapor Phase Growth of MCT Epitaxial Layers

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【Author】 Wang Yue Tang Zhijie Zhuang Weisha He Jingfu(Kunming Institute of Physics, Kunming, 625023)

【机构】昆明物理研究所；昆明物理研究所昆明； 650223；昆明； 650223；

【摘要】 <正> 用开管汽相外延生长系统,在CdTe衬底上汽相等温外延生长了碲镉汞Hg_1-xCd_xTe（MCT）外延层。外延用蒸发源为富Te的MCT多晶,CdTe和多晶源的温度为490～530℃,生长时间为6～10h,生长速率约为1μm/h;为精确控制MCT外延层的组分x值,在低温区另加一纯汞源,其温度在320～400℃范围内,载气为氢气。实验中所生长的MCT外延层成更多还原

【关键词】外延层；汽相外延生长；汽相生长；开管； CdTe；碲镉汞；载流子浓度；生长时间；生长速率；中所；

【文献出处】人工晶体学报 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1991年Z1期

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