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浮区法生长YIG单晶中缺陷的观测

Observation of Defects in Single Crystal YIG by Floating Zone Method

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【作者】 陈颂郑红张蕴芝夏鸣昶张道范姜彦岛

【Author】 Chen Song Zheng Hong Zhang Yunzhi Xia Hongchang Zhang Daofan Jiang Yandao(Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100080)

【机构】 中国科学院物理研究所中国科学院物理研究所 北京100080北京100080

【摘要】 <正> Y3Fe5O12(简称YIG)单晶体作为一种高性能的磁光材料,随着光纤通讯等领域的发展,又重新引起人们的高度重视。本文所述采用浮区法(Floating zone)生长YIG单晶体,有效地降低了异类助熔剂的污染程度,且较容易地控制生长气氛,能较快地生长出高质量的单晶体,本文在YIG单晶样品经过机械抛光后,采用了化学侵蚀法,运用扫描电镜等手段观察

  • 【文献出处】 人工晶体学报 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1991年Z1期
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