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高分辨电镜研究掺硫的InP晶体

HREM Study on S-doped InP Crystal

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【作者】 王路春； 李齐； 余是东； 郑建国； 魏明；

【Author】 Wang Luchun Li Qi Yu Shidong Zheng Jiangou Wei Ming(Lab of Solid State Microstructures, Nanjing University, 210008)

【机构】 南京大学固体微结构物理国家实验室； 南京大学固体微结构物理国家实验室 210008； 210008； 210008；

【摘要】 <正> 掺S的InP晶体是采用LEC法沿[111]方向生长的。对这种晶体利用JEOL-4000Ex高分辨电子显微镜进行观察,在富S区发现了沿生长方向[111]带轴有2倍周期的调制结构和沿[113]方向有4倍周期的超结构。这是由于S原子沿生长方向部分的取代了P原子的位置所

【关键词】 高分辨电镜； InP； 生长方向； 超结构； 电子衍射；
  • 【文献出处】 人工晶体学报 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1991年Z1期
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