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高掺镁LN晶体抗光折变机理的探讨

Study on the Photorefractive Resistance in Mg-doped LN Crystal

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【Author】 Li Minghua Zhao Yiequan Sun Guangyue Xu Yuheng(Dept.of Applied Chemistry, Harbin Institute of Technology, Harbin. 150006)Wang Chunsheng(Inst.of Technical, Heilongjiang Academy of Science, Harbin, 150006)

【机构】哈尔滨工业大学应用化学系；黑龙江省科学院技术物理研究所哈尔滨； 150006；哈尔滨； 150006；

【摘要】 <正> 在LN晶体中掺入MgO生长Mg:LN,可以提高光折变阈值,高掺镁LN晶体抗光折变能力比LN高两个数量级,同时还对Mg:LN抗光折变机理进行了探讨。晶体的折射率变化需要有合适的施主、陷井(受主)和有效电荷移动的参加才能实现。未掺杂LN晶体,由微量更多还原

【关键词】 LN；折射率变化；有效电荷；格位；成分比；离子取代；微量杂质；杂质离子；

【文献出处】人工晶体学报 ,Journal of Synthetic Crystals , 编辑部邮箱 ,1991年Z1期

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