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CsI/Ni薄膜系统的化学深度剖面分布

The Chemical Depth Ptofiles of CsI/Ni Thin Film Systems.

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【作者】 杨伟毅徐登高王广林高频刘元震

【Author】 Yang Weiyi Department of Optical and Electronic et al

【机构】 华东工学院光电技术系华东工学院光电技术系

【摘要】 利用XPS研究了CsI/Ni薄膜系统的深度剖面分布,研究结果指出:CsI膜在20~200℃的温度范围内是热稳定的,而且CsI膜厚度随烘烤温度增加而增加。由于Ni扩散至CsI层内,CsI/Ni紫外光电阴极长波阈向长波延伸。

【Abstract】 The depth profiles of CsI/Ni thin film systems have beenstudied by using XPS. Our study shows that the CsI films are of thermalstability in temperature range 20~ 200℃, and the thickness of the CsIfilms inereases with the baking temperature. Because the Ni has diffusedinto the CsI layer,the wavelength threshold of the CsI/Ni ultraviolet pho-tocathode is extended to longer wavelength.

【关键词】 薄膜光电阴极表面分析
【Key words】 thin filmsphotocathodesurface analysis
  • 【文献出处】 南京理工大学学报(自然科学版) ,Journal of Nanjing University of Science and Technology , 编辑部邮箱 ,1991年03期
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