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一种InSb薄膜型霍尔器件

An InSb Thin Film Hall Device

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【作者】 黄仲平丁辉敏

【Author】 Huang Zhongping Ding Huimin(Nanjing Electronic Devices Institute)

【机构】 南京电子器件研究所南京电子器件研究所

【摘要】 <正> 霍尔器件是一种半导体磁电器件,它是根据霍尔效应的原理进行工作的,其特性为输出电压与输入电流及所加磁场强度成正比。InSb薄膜型霍尔器件灵敏度高、输出功率高、体积小、

  • 【文献出处】 光电子技术 ,Optoelecfronic Technology , 编辑部邮箱 ,1991年03期
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