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Pd-化合物半导体界面的价带研究

Valence Band Studies on Pd/Compound Semiconductor Interfaces

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【Author】 Li Nan/Institute of Physics, Academa Sinica, Beijing, 100080, P. R. ChinaLin Zhangda/Institute of Physics, Academa Sinica, Beijing, 100080, P. R. ChinaY. Gao/Department of Chemical Engineering and Material Sciences, University of Minnesota, Minneapolis, MN 55455, U. S.A.J. H. Weaver/Department of Chemical Engineering and Material Sciences, University of Minnesota, Minneapolis, MN 55455, U. S.A.

【机构】中国科学院物理所； Department of Chemical Engineering and Material Science； University of Minnesota； MPL； MN 55455； U.S.； U.S. 北京100080；北京100080；

【摘要】利用同步辐射光电子能谱对 Pd/GaAs、Pd/InP、Pd/InSb及 Pd/PbS界面形成过程中价带的变化进行了研究.在覆盖度θ(?)40A范围.上述界面体系的价带谱均主要由Pd4d带构成,并在Permi能级附近存在一个由Pd与衬底原子相互作用反键轨道形成的过渡肩峰;随着覆盖度增加,这一过渡肩峰逐渐被Pd4d带主峰所覆盖;对Pd4d带双峰进行解谱,得出了峰位置、峰半高宽及峰分裂间距随θ的变化关系,并由此对各体系中的界面过程进行了讨论.不同界面体系中,两类基本的界面过程——表面偏析与化学相互作用过程——的贡献各不相同,其中衬底负离子组份化学活性较强的界面体系中,化学相互作用过程为主被证明.更多还原

【Abstract】 Synchrotron-radiation photoemission studies on the valence band evolutions during the in-terface formation of Pd/GaAs,Pd/InP, Pd/InSb and Pd/PbS systems are presented.The mainPd 4d peak and the shoulder near Fermi level are discussed. Two interface processes, name-ly, surface segregation and chemical interaction, are assessed concerning With the peak shapeparameters obtained from Pd 4d peak deconvolution.更多还原

【关键词】化学相互作用；半导体界面； Pd；价带；光电子能谱；表面偏析；带谱；同步辐射；原子尺度；半高宽；

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1991年04期

【被引频次】2
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