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半导体量子阱材料的调制光谱研究

Study of Modulation Spectrum of Semiconductor Quantum Wells

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【作者】 钱士雄； 袁述； 吴建耀； 李郁芬； T.G.Andersson；

【Author】 Qian Shixiong/Department of Physics, Fudan University, Shanghai, P. R.ChinaYuan Shu/Department of Physics, Fudan University, Shanghai, P. R.ChinaWu Jianyao/Department of Physics, Fudan University, Shanghai, P. R.ChinaLi Yufen/Department of Physics, Fudan University, Shanghai, P. R.ChinaT. G. Andersson/Department of Physics, Chalmers University of Technology, Goteborg,Sweden

【机构】 复旦大学物理系； Department of physics； Chalmeers University of Technology； Goteborg； Sweden 上海200433； 上海200433； 上海200433；

【摘要】 我们采用光调制透射方法从InxGa1-xAs/GaAs单量子阱样品测量了调制透射谱,得到了InGaAs量子阱中激子的清晰的调制结构.由电场调制原理对调制透射谱进行拟合,得到了激子的跃迁能量.结果与其他测量以及理论计算结果有较好的一致.

【Abstract】 Using the phototransmission spectrum technique, we have measured the phototransmissionspectra from InxGa1-xAs/GaAs single quantum well samples.The clear modulation structureof different excitons in InGaAs well has been got. From the fitting based on the electric field-modulation mechanism,the exciton energies have been obtained which are in good agreementwith other measurements and theoretical calculation.

【关键词】 半导体量子阱； 调制光谱； InGaAs/GaAs；
【Key words】 Semiconductor quantum well； Modulation spectroscopy； InGaAs/GaAs；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1991年03期
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