节点文献

微晶硅硼薄膜结构的喇曼研究

Raman Studies of Microstructures in Crystallite Silicon Doped with Boron

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 程光煦； 陈坤基； 朱育平； 夏华； 张杏奎； 戚建邦； 王聪和；

【Author】 Cheng Guangxu/Center of Material Analysis and Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210008, P. R. C.Chen Kunji/Center of Material Analysis and Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210008, P. R. C.Zhu Yuping/Center of Material Analysis and Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210008, P. R. C.Xia Hua/Center of Material Analysis and Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210008, P. R. C.Zhang Xingkui/Center of Material Analysis and Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210008, P. R. C.Qi Jianbang/Department of Physics, Chinese University, Hong KongWang Conghe/Department of Physics, Chinese University, Hong Kong

【机构】 南京大学现代分析中心； 南京大学固体微结构实验室； 香港中文大学物理系； 香港中文大学物理系 固体微结构实验室； 南京210008； 南京210008；

【摘要】 单晶,多晶,微晶及非晶硅是固态硅材料中几种重要的组建结构.随着非晶硅晶化研究的深入,定量的研究其微观尺度的变化（键角变化△θ,微晶晶粒尺度△d）已日趋必要,而光散射手段为此提供了可能.非晶硅喇曼谱中类TO模的峰位变化（△ωR）为微晶硅晶粒尺度提供了数据△d～2π（B/△ωR）1/2（B是材料的结构参数）,类TO模峰陡边的半高峰宽,又为每个键的平均畸变能U=3K(rb*△θ)2提供了一定的信息.文中对与之相关的物理过程亦做了相应的讨论.

【Abstract】 The microsize of silicon material, e.g. the average distortion energy U per bond, rmsbong-angle deviation have been quantitatively studied. Some of the microstructure inform-ation of doping boron complex in amorphous silicon have been provided by the change of theTO-like mode relative to the single crystal in Raman spectra.The reliable data and parame-ters for crystallite silicon can be offered during the process of the crystallization.

【关键词】 微晶硅； 喇曼谱；
【Key words】 Crystallite； Raman spectra；
【基金】 固体微结构实验室的专题且获现代分析中心1989年度部分资助
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,1991年01期
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】47
知网节下载
节点文献中： 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络
二级参考文献(0)
参考文献(0)
共引文献(0)
节点文献
同被引文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)