节点文献

分子束外延生长p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 徐梁； 陈云良； 沈玉华； 王海龙；

【机构】 中国科学院上海光机所 上海 201800；

【摘要】 我们以掺Fe的高阻InP作衬底材料,在国产MBE-Ⅲ型设备上,采用调制掺杂技术,成功地生长出了p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料。室温霍耳效应测量表明:载流子浓度为1014/cm3量级,迁移率为250cm2/V·s。俄歇谱分析清楚表明,仅在ZnTe层中Sb原子存在,且界面比较分明,调制掺杂已获初步成功。

【关键词】 分子束外延； 超晶格； 半导体掺杂；
  • 【下载频次】15
知网节下载
节点文献中： 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络
二级参考文献(0)
参考文献(0)
共引文献(0)
节点文献
同被引文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)