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硅/硅直接键合制造双极型静电感应晶体管

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【作者】 李思渊； 桑保生； 刘肃； 杨建红；

【机构】 兰州大学场感应器件研究所； 兰州大学场感应器件研究所 730001； 730001； 730001；

【摘要】 用硅/硅直接键合片(SDB)代替了高阻外延片成功地制造了新型电力器件双极型静电感应晶体管(BSIT),正向阻断电压800V以上,漏极输出电流2A,展示了SDB片广阔的应用前景。

【关键词】 静电感应晶体管； 双极型； 直接键合； 阻断电压； 外延片； 漏极； 击穿电压； 饱和压降； 高阻； 新型电力；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1991年06期
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