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结构改进的高压VDMOS功率晶体管

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【作者】 孔德平； 张本袁； 王锡祺； 潘余健；

【机构】 东南大学电子系； 宜兴市半导体厂； 宜兴市半导体厂 210028 南京； 210028 南京； 214204；

【摘要】 本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。

【关键词】 VDMOS； 功率晶体管； 导通电阻； 高压器件； 开关速度； 漂移区； 安全工作区； 双极型； 横向扩散； 体电阻；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,1991年04期
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