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采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究

Research on CZ Silicon Crystals Grown in Nitrogen Atmosphere for Power Transistor

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【作者】 李立本; 张锦心; 陈修治; 阙端麟;

【Author】 Li Liben Zhang Jinxin Chen Xiuzhi Que Duanlin(Department of Materals Science and Engineering)

【机构】 浙江大学材料科学与工程学系; 浙江大学材料科学与工程学系;

【摘要】 本文论述在纯氮气氛中生长硅单晶技术,根据器件工艺要求,与器件厂相互配合,取得了功率晶体管成品率的大幅度提高,肯定了氮保护气氛下生长的硅单晶的优越质量。

【Abstract】 The technique for growing CZ silicon crystals in pure nitrogen atmosphere is described. By cooperation with device manufacture according to the demands of, device process, the yield of power transistor has largely increased. The high quality of the CZ silicon crystals grown in nitrogen atmosphere was proved.

【关键词】 氮; 晶体管; 硅单晶;
【Key words】 Nitrogen; Transistor; Silicon crystal;
【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 浙江大学学报(自然科学版) ,Journal of Zhejiang University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,1990年03期
  • 【被引频次】5
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