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300keV Xe2+离子束诱导的金属/硅界面反应
300 KeV Xe2+ ION BEAM INDUCED REACTION AT THE INTERFACE OF METAL AND SILICON
【摘要】 采用RBS分析方法,研究了宽温区（LNT—400℃）下Xe2+离子束诱导引起的金属/硅界面反应,得到多种硅化物单相或双相生长层,讨论了化学驱动力和辐射增强扩散效应。
【Abstract】 The ion beam induced atomic mixing and interface reaction between a metalthin film （Ni, Nb, Mo, Ti, Cu） and its silicon substrate is investigated by RBSfor 300 keV Xe2+ ions, dose with 5×1015 cm-2 and an implantation temperaturefrom LNT to 400℃ Many Crystal silicide phases including one phase or two pha-ses are formed. The phase growth is layer by layer. The results are discussed interms of chemical driving force and radiation enhanced diffusion effect.
【关键词】 Xe2+离子束；
金属/硅体系；
诱导界面反应；
【Key words】 Xe2+ ion； Metal/silicon system； Interface reaction induced by ion beam；
【Key words】 Xe2+ ion； Metal/silicon system； Interface reaction induced by ion beam；
【基金】 国家自然科学基金
- 【文献出处】 原子能科学技术 ,Atomic Energy Science and Technology , 编辑部邮箱 ,1990年05期
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