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用C离子的弹性反冲法测固体中氢分布

H DEPTH PROFILING IN SOLID BY ERD WITH C IONS

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【Author】 LIU JIARUI;ZHU PEIRAN;FENG AIGUO;LI DAWAN Institute of Physics, Academia Sinica. Beijing Dept. of Physics, Central Institute of Nationalities, Beijing

【机构】中国科学院物理研究所；中央民族学院物理系北京；北京；北京；

【摘要】文章介绍了用1.7MV小串列加速器提供的4—7MeV多电荷C离子,采用弹性反冲法(ERD)分析了α-Si:H中氢元素的深度分布。计算表明,近表面处的深度分辨率为15-30nm,可探测深度100—700nm。探讨了入射能量和散射几何条件的优化问题。比较了几种分析方法的测量结果。更多还原

【Abstract】 Hydrogen depth profiling in α-Si:H is performed by Elastic Recoil Detection(ERD) with multicharged C ions at 2×1.7 MV Tandem Accelerator. Both experl-ment and computer simulation show the depth resolution of 15--30 nm in thenear-surface region. The optimization of the experimental conditions such asincident ions energy and scattering geometry are discussed.更多还原

【关键词】氢；氢的深度分布；弹性反冲法；
【Key words】 Hydrogen； Depth profile of hydrogen； Elastic recoil detection technique；

【基金】国家科学基金

【文献出处】原子能科学技术 ,Atomic Energy Science and Technology , 编辑部邮箱 ,1990年03期

【被引频次】3
【下载频次】43

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