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SnO2:F透明导电薄膜及其物理特性

Study of SnO2:F Transparent Conducting Thin Films and Their Physical Properties

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【作者】 胡启富; 林秀森;

【Author】 Hu Qifu Lin Xiuscn

【机构】 厦门大学物理学系; 厦门大学物理学系;

【摘要】 本文中报道优质SnO2:F透明导电薄膜的制备方法,通过对薄膜透射率和电导(方块电阻)的测量分析,研究薄膜特性与工艺条件的关系,探讨最佳工艺条件和薄膜形成规律。提出一种SnO2:F 晶体缺陷结构模型,可以较好解释电导随 F掺杂浓度的变化结果。

【Abstract】 This paper reports preparation method of quality Sn02:F transparent conducting thin films. Base on the measures and analyses of the transmittance and sheet resistivity of Sn02:F films, we study relations between the properties and technological conditions of the films, explore the optimal technological conditions and formed law of the films. We have put forward a structural motel of defects in Sn02:F crystal which can fine explain changes of conductance with the concentration of fluorine dopant.

  • 【文献出处】 厦门大学学报(自然科学版) ,Journal of Xiamen University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,1990年05期
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