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GaP:(Bi,N)的时间分辨光致发光谱
Time-Resolved Photoluminescence Spectra in GaP:(Bi, N) Crystals
【摘要】 在9.3K到83K温度范围内测量了GaP:(Bi)和GaP:(Bi,N)样品的时间分辨光致发光谱。实验结果表明,在GaP:(Bi,N)中,由孤立N中心和NN_i(i≥3)中心到Bi中心的能量转移过程导致Bi发射带的增强。
【Abstract】 An analysis of temperature and delay time dependence of the luminescence intensities of the A line makes it possible to propose a model related to the energy transfer of excitons from the N. NN,(i≥3) centers to the.Bi centers in GaP:(Bi.N) crystals.
【关键词】 时间分辨光谱；
能量转移；
延迟时间；
【Key words】 Time-resolved luminescence spectrum. Energy transfer； delay time；
【Key words】 Time-resolved luminescence spectrum. Energy transfer； delay time；
【基金】 中国科学院安徽光机所激光光谱学开放实验室申请项目
- 【文献出处】 厦门大学学报(自然科学版) ,Journal of Xiamen University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,1990年04期
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