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大有发展前途的新型半导体器件——静电感应晶体管和静电感应晶闸管

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【作者】 方凯王荣罗永春

【机构】 辽宁大学物理系辽宁大学物理系

【摘要】 为了满足和推动电子器件向高频大功率方向发展,寻求一种新型晶体管,即静电感应晶体管(static induction transistor:SIT),也称为第三种类型晶体管。本文较为详细的阐述其组成结构工作原理和实验特性。并指出结构设计和工艺概要。

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