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单晶硅衬底上金刚石成核密度的研究

The Study of Diamond Nucleation Density on Single Crystal Silicon Substrate

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【作者】 金曾孙于三吕宪义黄甫萍邹广田

【Author】 Jin Zengsun, Yu San, Lu Xianyi, Huang Fuping and Zou Guangtian (Institute of Atomic and Molecular Physics,Jilin University)

【机构】 吉林大学原子与分子物理研究所吉林大学原子与分子物理研究所

【摘要】 本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备金刚石薄膜时其成核密度与制备条件的关系。结果表明,衬底表面状态、衬底温度、灯丝温度、灯丝与衬底表面间距离等对金刚石成核密度有明显的影响,且表面状态的影响最大。

【Abstract】 In the present paper, the relation between diamond nucleation density and synthesis conditions is studied for the diamond thin film synthesized by hot filament chemical vapour deposition method. The experimental results show that the state of substrate surface has the most evident effects on diamond nucleation density. The substrate temperature, filament temperature and distance from filament to substrate surface also have evident effects on diamond nucleation density.

  • 【文献出处】 吉林大学自然科学学报 ,Journal of Jilin University , 编辑部邮箱 ,1990年03期
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