Ta₂O₅氢离子敏感薄膜的研究

【摘要】 <正> 一、引言随着 H⁺—ISFET 的理论研究的深入,人们越来越认识到作为敏感栅的介质膜对器件的灵敏度、响应时间、线性范围、稳定性等是至关重要的。目前对 H⁺敏无机薄膜的研究十分活跃。广泛开展了 SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂、TiO₂、IrO、PtO等许多材料的研究。松尾正之评述薄膜的 H⁺选择性是 SiO₂<Si₃N₄<Al₂O₃<Ta₂O₅。不少文章从无机薄膜对 H⁺的敏感机理及其应用来研究材料,得出了同样的结论,Ta₂O₅薄膜是一种优良的 H⁺敏感材料。这使我们对 Ta₂O₅薄膜发生了强烈的兴趣,从而对 Ta₂O₅薄膜的制备工艺,更多还原